从3D NAND的技术与产能方面寻求突破，近期几大厂商都在加大力度。日前，英特尔大连厂传出消息，经过仅8个多月的努力，英特尔大连厂非易失性存储制造新项目于今年7月初实现提前投产。去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。

一、MP2319JD足球俱乐部反波胆,JD反波胆有限公司,JD反波胆俱乐部平台入口完整信息介绍

? 3A、18V、650kHz 高效率同步降压变换器

? 8 引脚 TSOT23 封装

二、MP6616JD足球俱乐部反波胆,JD反波胆有限公司,JD反波胆俱乐部平台入口完整信息介绍

? 集成嵌入式霍尔效应传感器的 18V、2A、单相直流无刷电机驱动器

? 2mT 最小灵敏度嵌入式霍尔效应传感器

? 3.3V 至 18V 工作输入电压(VIN) 范围

? 2A 连续输出电流(IOUT)

? 100mΩ 集成功率 MOSFET

? 最大可配置速度：40000rpm

? 可配置最小速度和启动占空比

? 闭环或开环速度控制

? 闭环模式下提供高速精度

? 最大可配置软换向角：45°

? 最大可配置霍尔偏移角：±45°

? 最大四级可配置电流限值：4A

? 脉宽调制（PWM）输入范围：1kHz 至 100kHz

? 可配置的软启动时间（tSS）

? 固定开关频率（fSW）：27kHz

? 待机模式

? 自动恢复转子堵转保护

? 自动恢复过温关断保护

? 内置输入过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）保护和自动恢复

? 采用 QFN-10（2mmx3mm）封装