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? 100V、2.5A 高频半桥栅极驱动
? 驱动 N-通道 MOSFET 半桥
? 100V VBST 电压范围
? 输入信号重叠保护
? 集成自举二极管
? 20ns 的典型延迟
? 小于 5ns 的栅极驱动失配
? 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间
? TTL 可兼容输入
? 静态电流小于 150μA
? 关断电流小于 5μA
? 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护
? 采用 3×3mm QFN10 封装
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